Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

Коммуникации и связь->Реферат
Идея создания и применения оптронов относится к 1955 г., когда в работе Loebner E. E. "Optoelectronic devices network" была предложена целая серия при...полностью>>
Коммуникации и связь->Шпаргалка
Па́блик риле́йшнз или Свя́зи с обще́ственностью (англ. PR - сокращение от public relations - связи с общественностью) - комплекс мероприятий по продви...полностью>>
Коммуникации и связь->Закон
Информационное агентство — специализированное информационное предприятие (организация, служба, центр), обслуживающее СМИ. Его основная функция — снабж...полностью>>
Коммуникации и связь->Курсовая работа
Составим обобщенную структурную схему системы передачи дискретных сообщений, включающую в себя источник сообщений, кодер источника, кодер канала, моду...полностью>>

Главная > Курсовая работа >Коммуникации и связь

Сохрани ссылку в одной из сетей:

КУРСОВАЯ РАБОТА

Расчет основных формул по основам электроники

по дисциплине

« ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ»

Вариант 28

Чита

2009

Исходные данные

0,78

0,04

0,035

0,2

0,6

15

1500

700

250

Физические и математические постоянные:

  1. Постоянная Планка

  2. Элементарный заряд

  3. Масса покоя электрона

  4. Постоянная Больцмана

  5. Число пи

  6. Число е

  7. Электрическая постоянная

  1. Рассчитать температурную зависимость концентрации равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике

Исходные формулы:

а) Получение расчетной формулы

Пример:

б) Результаты расчетов представил в таблице 1.

Таблица 1.

Концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике.

T

T^3/2

1/T

KT

n0

lnn0

75

649,5190528

0,013333333

0,006463

0,003973436

-5,528124115

100

1000

0,01

0,008617

21789,62053

9,989189013

120

1314,534138

0,008333333

0,010341

54057905,69

17,80556636

150

1837,117307

0,006666667

0,012926

1,42581E+11

25,68317669

200

2828,427125

0,005

0,017235

4,14293E+14

33,65759481

300

5196,152423

0,003333333

0,025852

1,43642E+18

41,80868748

400

8000

0,0025

0,03447

9,60747E+19

46,0116581

500

11180,33989

0,002

0,043087

1,2904E+21

48,60924193

в) Построил график 1 зависимости равновесной конфигурации носителей тока от температуры в координатах .

График 1

г) Проверить правильность построения графика, выполнив обратную задачу: используя значение tg α, найти ширину запрещенной зоны полупроводника ∆Е, сравнить с исходным значением ∆Е. Найти погрешность δ(∆Е).

  1. Рассчитать температурную зависимость уровня Ферми в собственном полупроводнике

Расчетная формула:

а) результаты расчетов представил в таблице 2

Зависимость Ef(T) в собственном полупроводнике

Таблица 2

T,K

KT,эВ

Ef,эВ

Ef/Ef0*100%

100

0,008617375

0,397100366

101,8206066

200

0,01723475

0,404200731

103,6412132

300

0,025852126

0,411301097

105,4618198

400

0,034469501

0,418401463

107,2824264

500

0,043086876

0,425501829

109,103033

б) Построил график 2 «Зависимость Ef(T) в собственном полупроводнике

График 2

  1. Рассчитать температуры ионизации донорной примеси Тs и ионизации основного вещества Тi в полупроводнике n тока методом последовательных приближений. В качестве начальных температур использовать значения Ti =400 К ,Ts=50 К

Расчетные формулы:

Таблица 3.

N приближ.

1

2

3

4

5

6

Ti, K

400

986,0672473

761,51462

814,6480626

800,077865

803,9251818

Nc*10E+25,

0,345561057

1,337502517

0,907720567

1,004361024

0,977536968

0,984596428

Nv*10E+25

1,795587925

6,949866942

4,716654422

5,218812967

5,079431084

5,116113117

10

11

803,1185939

803,1134442

0,983115014

5,108415461

Таблица 4.

N приближ

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Ts,K

50,000

346,476

109,388

184,635

140,692

160,530

150,249

155,238

152,735

Nc*10E+23

1,527

27,858

4,942

10,837

7,208

8,786

7,955

8,355

8,153

10

11

12

13

153,970

153,355

153,660

153,509

8,253

8,203

8,228

  1. Рассчитать температуру ионизации Тs и Тi в акцепторном полупроводнике методом последовательных приближений

Расчетные формулы:

Таблица 5.

N приближ.

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Ti, K

400

856,68

704,36

738,10

729,75

731,76

731,27

731,39

731,36

Nc*10E+25,

0,3455

1,083100

0,8074

0,8661

0,8515

0,8550

0,8541

0,8544

Nv*10E+25

1,7955

5,627955

4,1958

4,5008

4,4246

4,4429

4,4385

4,4396




Загрузить файл

Похожие страницы:

  1. Основные понятия по передаче информации

    Шпаргалка >> Информатика, программирование
    ... диапазон и его классификация В основе радиосвязи лежит использование для передачи ... fmax, то ΔfC находится по формуле ΔfC=fmax-fmin. Если спектр ... . Ее элементарные свойства характеризуются в основном двумя параметрами: диэлектрической проницаемостью ? ...
  2. Основы электроники (2)

    Лекция >> Коммуникации и связь
    ... по расчетам схем в электронике. Завадский. Компьютерная электроника ... . Электротехника и основы электроники (издание II ... преобразование Лапласа (2) 3) p = σ + jw для формулы (1) для АФЧХ p = jw (т.е. σ = 0 ... Основные характеристики и параметры. 1) Основная ...
  3. Лекции по Основы объектно-ориентированного программирования

    Лекция >> Информатика
    ... вопросы легли в основу основных инициатив по повторному использованию, ... целочисленной арифметики, данная формула действительно выполняется. ... привести пример из электроники. Конечно, полезно ... в адрес наследования "по расчету" и так называемого наследования ...
  4. Электроника и микросхемотехника. Курс лекций

    Конспект >> Коммуникации и связь
    ... от нагрузки. Расчет выходных параметров импульсов ведется по формулам [16, ... . Основные свойства в общем виде: а+0=а; а0=0; а+1=1; а1=а; а+а=а; аа=а; 6.3. Основные логические ... - К.: Вища школа, 1989. Основы промышленной электроники/ В.В. Герасимов и др. - ...
  5. Электротехника с основами электроники

    Учебное пособие >> Физика
    ... лабораторным работам по курсу "Электротехника с основами электроники" для студентов ... коэффициента мощности. 1. Основные теоретические положения. Приемники ... покажите, по каким формулам они рассчитываются. Напишите формулы для расчета сопротивления, ...

Хочу больше похожих работ...

Generated in 0.0025160312652588