Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

Коммуникации и связь->Реферат
Современный этап развития взаимоувязанной сети связи России характеризуется широким внедрением оборудования цифровых технологий коммутации и передачи....полностью>>
Коммуникации и связь->Реферат
всем мире, а теперь и у нас в стране, наличие работающего Web-сайта становится признаком стабильной, профессиональной работы фирмы. Интернет давно уже...полностью>>
Коммуникации и связь->Реферат
При правильном подходе такое средство PR как пресс-релиз способно внести достойный вклад в формирование и укрепление репутации компании, а также в про...полностью>>
Коммуникации и связь->Реферат
Любой периодический несинусоидальный сигнал ЭДС можно разложить на сумму постоянной слагающей и синусоидальных слагающих (называемых гармониками). Для...полностью>>

Главная > Дипломная работа >Коммуникации и связь

Сохрани ссылку в одной из сетей:

Выходное напряжение низкого уровня по каналам А, В, С, D: ≤ 0,45 В;

Ток потребления: ≤ 120 мА;

Выходной ток к состоянии «выключено»: ≤ 10мА;

Ток утечки по управляющим входам: ≤ |-10| мкА

Входной ток высокого уровня по каналам В и С: -1…-4 мА;

Время установления данных D7…D0 относительно сигнала RD: ≤ 250 нс;

Длительность сигнала RD: ≥ 300 нс;

Длительность сигнала WR: ≥ 400 нс;

Время установления адреса А1, А0 и сигнала CS относительно сигнала WR: 0 нс;

Время сохранения канала ВА, ВВ относительно сигнала WR: ≤ 350 нс;

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Максимальное напряжение питания: 5,25 В;

Максимальное напряжение на вводах высокого уровня: 5,25 В;

Максимальное напряжение на выводах низкого уровня: 0,8 В;

Максимальный выходной ток высокого уровня: |-0,2| мА;

Максимальный выходной ток низкого уровня: 1,7 мА;

Максимальная ёмкость нагрузки: 190 пФ;

Температура окружающей среды: -10…+70 ⁰С.

3.1.2 Транзисторы.

Транзи́стор - трёхэлектродный полупроводниковый электронный прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем памяти, процессора, логики и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 32 нм. На одном современном чипе (обычно размером 1—2 см²) размещаются несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции), в ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе. Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров. Каждую секунду сегодня в мире изготавливается полмиллиарда МОП - транзисторов.

Характеристики выбранных биполярных транзисторов представлены в таблице 8.

Таблица 8. Характеристики биполярных транзисторов

Тип

B1-B2/Iк

мсим/мА

Fт,
 МГц

Iко,
мкА

Uкб,
 В

Uкэ/R,
В/кОм

Uэб,
 В

Iкм/Iкн
 мА/мА


мВт

Канал

КТ361Г

50-350/1

250

1

35

35/10

4

50/

150

P-N-P

КТ805АМ

15- 35/2

20

160/10

5

5/8

2

/30

3.3

NPN

КТ814Б

40 /0.15

3

50/100

5

1.5/3

0.5

1/10

10

PNP

КТ972А

750 /1

200

60/1к

5

4/

/8

15.6

NPN

КТ973А

750 /1

200

60/1к

5

4/

/8

15.6

PNP

Условные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов:

B1-B2/Iк статический коэффициент передачи тока

Fт предельная частота коэффициента передачи тока

Iко обратный ток коллектора

Uкб максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база

Uэб максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

Uкэ/R максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером ®

Iбм предельно допустимый постоянный ток базы

Iкм/Iкнас предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкнас)или в импульсе

Pк максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе

Pк/Pт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).

Rпк тепловое сопротивление перехода коллектор-корпус транзистора

Корпус биполярного транзистора КТ361Г (VT1-VT9, VT14-VT21, VT26-VT29) представлен на рисунке 11:

Рисунок 11 Корпус КТ361Г

Корпус биполярного транзистора КТ805АМ (VT34, VT36, VT38, VT40) представлен на рисунке 12:

Рисунок 12 Корпус КТ805АМ

Корпус биполярных транзисторов КТ814Б (VT10-VT13, VT22-VT25), КТ972А (VT30-VT33), КТ973А (VT35, VT37, VT39, VT 41) представлен на рисунке 13:

Рисунок 12 Корпус КТ814Б, КТ972А, КТ973А

3.1.3 Резисторы.

Резистор – пассивный элемент электрической цепи.

Резисторы классифицируются на:

- постоянные резисторы, сопротивление которых не регулируется;

- переменные регулируемые резисторы (потенциометры, реостаты, подстроечные резисторы);

- нелинейные, которые не являются обычными резисторами из-за нелинейности ВАХ;

- терморезисторы с большой зависимостью сопротивления от температуры;

- фоторезисторы, сопротивление зависит от освещённости;

- тензорезисторы , сопротивление зависит от деформации резистора;

- магниторезисторы и др.

По используемому материалу резисторы классифицируются на:

1) Проволочные резисторы. Представляют собой кусок проволоки с высоким удельным сопротивлением намотанный на какой-либо каркас. Могут иметь значительную паразитную индуктивность. Высокоомные малогабаритные проволочные резисторы иногда изготавливают из микропровода.

2) Плёночные металлические резисторы. Представляют собой тонкую

плёнку металла с высоким удельным сопротивлением, напылённую на керамический сердечник, на концы сердечника надеты металлические колпачки с проволочными выводами. Иногда, для повышения сопротивления, в плёнке прорезается канавка. Это наиболее распространённый тип резисторов.

3) Металлофольговые резисторы. В качестве резистивного материала используется тонкая металлургическая лента.

4) Угольные резисторы. Бывают плёночными и объёмными. Используют высокое удельное сопротивление графита.

5) Полупроводниковые резисторы. Используется сопротивление слаболегированного полупроводника. Эти резисторы могут иметь большую нелинейность вольт-амперной характеристики. В основном используются в составе интегральных микросхем, где применить другие типы резисторов труднее.

Постоянные непроволочные общего применения неизолированные резисторы С2-33Н предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного токов и в импульсных режимах.

Выпускаемые промышленностью резисторы одного и того же номинала имеют разброс сопротивлений. Значение возможного разброса определяется точностью резистора. Выпускают резисторы с точностью 20 %, 10 %, 5 %, и т. д. вплоть до 0,1 %.

Резисторы С2-33Н удовлетворяют требованиям ГОСТ 24238 и изготавливаются в соответствии с техническими условиями ОЖО.467.173 ТУ (приёмка "ОТК") и ОЖО.467.093 ТУ (приёмка "5").

Резисторы С2-33Н изготавливают в двух исполнениях – предназначенном для ручной и предназначенном для автоматизированной сборки аппаратуры.

Резисторы С2-33Н , предназначенные для автоматизированной сборки аппаратуры, соответствуют ГОСТ 20.39.405, конструктивно-технологическая группа I, исполнение 1.

Резисторы С2-33Н изготовляют во все климатическом исполнении В2.1 по ГОСТ 15150.

Условное обозначение резистора С2-33Н при заказе и в конструкторской документации должно состоять из слова «Резистор», сокращенного условного обозначения резистора, номинальной мощности рассеяния, обозначения изолированного исполнения (буква И), полного обозначения номинального сопротивления и допускаемого отклонения по ГОСТ 28883-90, группы по уровню шумов (только для класса А и Б), группы по температурному коэффициенту сопротивления (только для группы В), обозначения автоматизированного монтажа (буква А), обозначения варианта по стабильности (буква К), обозначения ТУ.

Промежуточные значения номинального сопротивления резисторов С2-33Н соответствуют ряду Е96 для резисторов с допускаемыми отклонениями ±1, ±2%

Корпус резисторов С2-33Н представлен на рисунке 13.

Рисунок 13 Корпус ресизисторов С2-33Н

Таблица 11. Основные размеры резисторов

Вид резистора

L, мм

D, мм

l, мм

d, мм

Масса, не более, г

С2-33НВ-0,5

10,8-1,3

4,2-0,8

25+5

0,8±0,1

0,8



Похожие страницы:

  1. Программирование микроконтроллеров MCS-51

    Книга >> Информатика, программирование
    ... 251. Перед использованием микроконтроллера его необходимо сконфигурировать, т.е. с помощью программатора "прожечь" конфигурационные ... когда программирование микросхем осуществляется уже после их монтажа; - микроконтроллер с резидентной памятью типа EEPROM ...
  2. Микроконтроллеры общего назначения для встраиваемых приложений производства ATMEL Corporation

    Реферат >> Информатика
    ... микроконтроллер способен самостоятельно, без внешнего программатора переписывать содержимое ячеек во Flash-памяти программ ... кристаллы, обновляются версии уже существующих микросхем, совершенствуется и расширяется программное обеспечение поддержки ...
  3. Комбинированное звуковое USB-устройство с функциями автономного MP3-плеера и поддержкой Bluetooth

    Дипломная работа >> Информатика
    ... Compact Flash памяти или 1 микросхему NAND Flash памяти. Для разрабатываемого устройства подойдет микроконтроллер AT91SAM7SE256 ... : обязательные: компилятор языка C, ассемблер и линковщик; программатор; необязательные: отладчик; эмулятор. Несколько лет ...
  4. Разработка микропроцессорной системы на базе микроконтроллера - синтезатора игры пианино в пределах

    Курсовая работа >> Информатика
    ... (возможна манипуляция с регистрами, ячейками памяти и непосредственными данными). Высокая скорость ... микросхему. Запись осуществляется при помощи программатора и программы Рic-рrog. Микросхему микроконтроллера вставляется в панель программатора. Программатор ...
  5. Разработка источника бесперебойного питания

    Дипломная работа >> Коммуникации и связь
    ... (только фирмы Microchiр) и программатором. Серия PIC16F84 подходит для ... и общие сведения о микроконтроллере К1816ВЕ751 Восьмиразрядные высокопроизводительные однокристальные ... счет использования внешних микросхем памяти общий объем памяти программ может быть ...

Хочу больше похожих работ...

Generated in 0.0071320533752441