Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

Физика->Курсовая работа
При создание системы электроснабжения необходимо учитывать категорию приемников электроэнергии. При определении категории следует руководствоваться тр...полностью>>
Физика->Курсовая работа
Целью решения данного курсового проекта является: обобщение, закрепление знаний по дисциплине "Электроснабжение промышленных и коммунальных объектов",...полностью>>
Физика->Дипломная работа
Настоящий дипломный проект выполнен на основании задания на проектирование № от г. на тему: Электроснабжение сельскохозяйственных потребителей Будёнов...полностью>>
Физика->Доклад
При неизменном сопротивлении участка цепи при увеличении тока падение напряжения на данном участке УВЕЛИЧИТСЯ. Единицей измерения электродвижущей силы...полностью>>

Главная > Конспект >Физика

Сохрани ссылку в одной из сетей:
  1. Порівняйте основні властивості біполярних і польових транзисторів з ізольованим затвором.5 ст

  2. Запропонуйте схему основних засад проектування та технології виготовлення плівкових інтегральних мікросхем. Наведіть приклад__________________________________________6 ст

  3. Обґрунтуйте умови виникнення та спостереження квантового розмірного ефекту. Приклад досліду, в якому видно наявність квантового розмірного ефекту._______________________ 8 ст

  4. Порівняти напівпровідникові і акустичні лінії затримки. При якій рухливості носіїв струму час затримки при довжині лінії 30мкм буде в цих лініях однаковим. _______________________11 ст

  5. Обґрунтуйте різницю у впливі просторового електричного заряду на електричний струм у вакуумному і напівпровідниковому діодах._________________________________________17 ст

  6. Одиниці вимірювання інформації. Поняття про машинне слово. _______________________18 ст

  7. Обґрунтуйте переваги використання транзисторів інтегральних мікросхем з бар`єром Шотткі 19

  8. Визначити вміст домішок в плівці Al, котра отримана напиленням в вакуумі 2.10-5 А.с-1 з швидкістю напиленням 10А.с-1. Коефіцієнт прилипання залишкових газів дорівнює 0.8. Густина Al r=2.7 г.см-3.__________________________________________________________________20 ст

  9. Обґрунтуйте основні умови, необхідні для створення детекторів електромагнітних хвиль оптичного діапазону.____________________________________________________________21 ст

  10. Процесор та його основні функції в ЕОМ.__________________________________________22 cn

  11. Обґрунтуйте використання методів ізоляції елементів інтегральних мікроелектронних схем за допомогою зворотно зміщених р-n переходів. Проаналізуйте їх позитивні та негативні риси. Наведіть приклади._____________________________________________________________24 ст

  12. Запропонуйте та обґрунтуйте методи оцінки гомогенності приповерхневих шарів двохкомпонентних зразків методами електронної спектроскопії._______________________26 ст

  13. Проаналізуйте умови стаціонарної генерації випромінювання напівпровідникових лазерів. Як зміниться критична густина струму, якщо ширина робочого тіла інжекційного лазера зміниться вдвічі? _______________________________________________________________________27 ст

  14. Обґрунтуйте переваги використання кремнію при виготовленні інтегральних мікросхем.__30 ст

  15. Проаналізуйте, в яких випадках доцільно використання методів ізоляції елементів ІМС за допомогою шарів діелектриків або повітряних проміжків.____________________________31 ст

  16. Запропонуйте та обгрунтуйте можливість створення довільного профілю активних домішок за допомогою методу іонної імплантації._____________________________________________32 ст

  17. Обгрунтуйте умови утворення p-n переходів та шару Шотткі та позитивні риси діодів з бар¢єром Шотткі.______________________________________________________________________33 ст

  18. Проаналізуйте причини появи залежності електропровідності металевих плівок від їх товщини____________________________________________________________________35 ст.

  19. Проаналізуйте причини розвитку функціональної електроніки._____________________ __37ст

  20. Запропонуйте алгоритми обробки експериментальних даних на прикладі електронної спектроскопії.________________________________________________________________38 ст

  21. Обгрунтуйте можливість застосування тунелювання для побудови активних елементів інтегральних мікросхем._______________________________________________________39 ст

  22. Проаналізуйте умови експериментального спостереження класичного розмірного ефекту. Чому він майже не спостерігається в напівпровідниках? Як впливає вигин зон?_____________42 ст

  23. Обгрунтуйте необхідність використання оптичного каналу зв'язку в сучасній обчислювальній техніці._____________________________________________________________________43 ст

  24. Як зміниться відношення струму колектора до струму бази в n-p-n транзисторі, включеному в схемі з спільним емітером, якщо ширина бази w збільшиться вдвічі.________________44 ст

  25. Проаналізуйте умови, що необхідно виконати для створення ефективних біполярних транзисторів._______________________________________________________________45 ст

  26. Доведіть доцільність використання акустоелектроніки для обробки сигналів.________46 ст

  27. Обгрунтуйте, чому тепловий баланс інтегральних мікросхем обмежує мінімальний розмір її окремих елементів.___________________________________________________________47 ст

  1. В процесі проведення виготовлення кремнієвих інтегральних схем передбачається прогрів при 750 0 С на протязі 30 хвилин. До складу схеми входять плівки злота. Золото має при цих температурах такі коефіцієнти дифузії по вузлам гратки ~10-13 см2×с-1 і по міжвузлях гратки ~10-10 см2×с-1. Оцінити мінімальний розмір елементів при умові, що крайове розмиття при виготовленні елементів має дисперсію s = 10-6 см і воно повинно бути сумірним з дифузійним розмиттям._____________________________________________________________________49 ст

  2. Проаналізуйте від чого залежить ефективність емітера, коефіцієнт переносу неосновних носіїв заряду, ефективність збору колектора в біполярному транзисторі, що використовується в інтегральних мікросхемах._______________________________________________________50 ст

  3. Проаналізуйте, за яких умов вдається спостерігати квантовий розмірний ефект в шарах просторового заряду в напівпровідниках. Як експериментально показати його існування?__53 ст

  4. Проаналізуйте, в яких випадках доцільно використовувати аналогову і в яких дискретну техніку обробки сигналів._______________________________________________________________56 ст

  5. Обгрунтуйте методи вимірювання ширини спектральних ліній у випадках однорідного та неоднорідного випромінювання лазера.____________________________________________57 ст

  6. Проаналізуйте умови, що дозволяють збільшувати коефіцієнт підсилення потужності і коефіцієнт підсилення струму в схемах з біполярним транзистором. Оцініть зміну граничної частоти транзистора, якщо заміенити кремній з рухливістю носіїв 50 см2×В-1×с-1 на кремній з рухливістю 500 см2×В-1×с-1 ._______________________________________________________59 ст

  7. Проаналізуйте за яких умов в каналах провідності спостерігається велика рухливість носіїв заряду.________________________________________________________________________63 ст

  8. Обгрунтуйте вплив на ступінь поверхневої іонізації залежності між роботою виходу і потенціалом іонізації атома на поверхні твердого тіла.________________________________64 ст

  9. Наведіть приклад реалізації квадратичного детектора. Охарактеризуйте форму спектру на виході такого детектора.________________________________________________________________65 ст

  10. Проаналізуйте шляхи зменшення впливу паразитних параметрів інтегральних мікросхем на біполярних транзисторах. Перевірте, чи буде обмежувати граничну частоту перехідні характеристики транзистора при використанні кремнію з рухливістю носіїв 500 см2×В-1×с-1._66 ст

  11. Проаналізуйте причини, що обмежують мінімальний розмір елемента інтегральних мікросхем._____________________________________________________________________71 ст

  12. Обгрунтуйте підходи до вибору матеріалів, що застосовуються для детектування квантів електромагнітної радіації різної енергії._____________________________________________81 ст

  13. Проаналізуйте спектральну густину теплового гаусівського шуму на виході ідеального обмежувача (компаратора)._______________________________________________________84 ст

  14. Обгрунтуйте корисність та окресліть області застосування еквівалентних схем біполярних транзисторів.__________________________________________________________________85 ст

  15. Доведіть необхідність мікромініатюризації електронних схем._______________________87 ст

  16. Обгрунтуйте можливість використання вторинної електронної емісії для діагностики поверхні твердого тіла.________________________________________________________________88 ст

  17. Оцінити радіус металевих острівців сферичної форми на підкладинці, енергетичний електронний спектр у яких при кімнатній температурі буде дискретним. Стала Больцмана K=1.38х10-16ерг.град-1, стала Планка h=6.53.10-27ерг.с-1.________________________________________89 ст

  18. Запропонуйте схему технології виготовлення інтегральних мікросхем з біполярними транзисторами._________________________________________________________________90 ст

  19. Проаналізуйте особливості тонких феромагнітних плівок, що використовують для запису та обробки сигналів._______________________________________________________________92 ст

  20. Особливості та застосування термоелектронної емісії. Чи має вона загальні риси з надбар¢єрною емісією в напівпровідникових структурах?__________________________________________94 ст

  21. Обгрунтуйте вибір типу резонатора, що використовується в інжекційних квантових генераторах оптичного діапазону довжин хвиль (лазерів). Як зв¢яз ані геометричні парметри резонатора з резонансною частотою?_________________________________________________________96 ст

  22. Фізичні основи роботи польових транзисторів з ізольованим затвором._________________98 ст

  23. Проаналізуйте особливості використання когерентних хвиль для обробки інформації.___100 ст

  24. Обгрунтуйте умови практичного використання явища тунелювання.___________________101 ст

  25. Порівняти, що дає більший внесок чи зміна відстані між вістрям і поверхнею в тунельному мікроскопі, чи зміна роботи виходу. Cтруму може утримуватись сталим з відносною похибкою 1% . Середня робота виходу 4.0еВ, відстань від вістря до поверхні 10А.________________104 ст

  26. Обгрунтуйте, чому здебільшого при використанні польових транзисторів з ізольованим затвором використовують компліментарні структури._______________________________105 ст

  27. Проаналізуйте за яких умов зменшення довжини каналу МОН (метал-оксид-напівпровідник) транзистора сильно впливає на його характеристики. Які параметри МОН транзистора при цьому почнуть змінюватися?__________________________________________________________106 ст

  28. Обгрунтуйте умови виникнення та спостереження квантового розмірного ефекту._______108 ст

  29. Як зміниться довжина хвилі випромінювання інжекційного лазера, якщо ширина смужки робочого тіла зменшиться до 0,03 мкм? Ширина забороненої зони напівпровідника 1,42 еВ, ефективні маси електронів та дірок 0,067m0 та 0.082m0.______________________________110 ст

  30. Обгрунтуйте вибір технології виготовлення інтегральних мікросхем , в яких використовуються польові транзистори з ізольованим затвором. Як впливає ступіть легування окремих областей транзистора на його параметри.___________________________________________________111 ст

  31. Проаналізуйте в яких випадках найбільш доцільно використовувати плівкову електроніку_114 ст

  32. Яку роль відіграють дифузійні процеси в мікроелектроніці?___________________________115 ст

  33. Спробуйте оцінити відстань між сусідніми повздовжніми модами або кут розбіжності вихідних променів в інжекційному квантовому генераторі оптичного діапазону довжин хвиль.____116 ст

  34. Користуючись еквівалентною схемою біполярних транзисторів інтегральних мікросхем проаналізуйте вплив паразитних параметрів на роботу схеми.________________________117 ст

  35. Проаналізуйте, яку роль грають гетероструктури в мікроелектроніці. Наведіть приклади гетероструктур, що використовуються.____________________________________________119 ст

  36. Які фізичні явища використовуються для побудови модуляторів світлового променя. ____120 ст

  37. Спробуйте оцінити роздільну здатність методу фотолітографії. _______________________121 ст

  38. Проаналізуйте за яких умов відбувається генерація світла лазерами.___________________122 ст

  39. Проаналізуйте вплив паразитних параметрів на резистори інтегральних мікросхем. Еквівалентна схема.________________________________________________________________________123 ст

  40. Яку роль виконує підкладинка інтегральних мікросхем._____________________________124 ст

  41. Уніполярний МОН транзистор з n-каналом провідності має такі параметри: довжина каналу L = 5 мкм; ширина w = 50 мкм; xox = 0,1 мкм; порогова напруга VT,ef = +1 В; діелектрична стала оксиду e = 4; рухливість носіїв mn = 290 см2×В-1×с-1. Знайдіть струм стоку, активний опір каналу, крутизну, якщо транзистор працює в лінійному режимі при напругах VG = 3 B,VD = 0,1 В.________125 ст

  42. Проаналізуйте умови, за яких в каналах провідності виникає велика рухливість носіїв заряду.______________________________________________________________________126 ст

  43. Чи можна використовувати тунельні прилади в НВЧ діапазоні частот ?________________126 ст

  44. Засади, що використовуються для просвітлення оптичних пристроїв.__________________127 ст

  45. Який впив може здійснювати скін-ефект на роботу елементів інтегральних мікросхем ? Приклади.____________________________________________________________________128 ст

  46. Знайдіть паразитні параметри біполярного транзистора. Знайдіть його передаточну криву. Поясніть чим відрізняється режим роботи в схемі з загальним емітером та схемі з загальною базою._______________________________________________________________________130 ст

  47. Оцінити товщину напівпровідникового шару, в якому виконуються необхідні умови спостереження _____________________________________________________________132 ст

  48. квантового розмірного ефекту при кімнатній температурі, якщо ефективна маса носіїв заряда m*=0,1m0;

  49. рухливість носіїв m = 5000 см2×В-1×с-1.

  50. Наведіть приклади застосування акустоелектричних пристроїв. Які фізичні явища в них використовуються?____________________________________________________________133 ст

  51. Чи суттєво зміниться ємність МОН транзистора в режимі збіднення, якщо концентрація акцепторів збільшилась в 100 разів. eSi/eох=5; хох = 5 нм; Lе ~10-5 см.____________________135 ст

  52. Проаналізуйте умови, за яких в каналах провідності виникає велика рухливість носіїв заряду._______________________________________________________________________137 ст

  53. Де використовуються в мікроелектроніці тунельні явища? Наведіть приклади. _________138 ст

  54. Як впливають квантові розмірні ефекти на роботу інжекційних лазерів.________________139 ст

  55. Порівняйте два сандвіча однакових розмірів з вакуумним зазором і з зазором із діелектрика з e=10. Знайдіть, в якому із сандвічів струм обмежений просторовим зарядом більший і у скільки разів_________________________________________________________________140 ст

  56. Проаналізуйте умови роботи різних схем включення МОН транзисторів. Як вони виготовляються і ІМС?._______________________________________________________141 ст

  57. Резонансна тунельна емісія. Природа явища. Як відрізнити резонансне тунелювання від не резонансного?________________________________________________________________143 ст

  58. Що нового в мікроелектроніці відриває застосування гетеропереходів?________________145 ст

  59. Якщо вважати, що для роботи елементів інтегральних схем потрібна мінімальна напруга 10kT/e, знайти у скільки разів відрізняються допустимі розміри ємнісних і резистивних елементів, що визначаються перегрівом елементів.__________________________________________146 ст

  60. На поверхні кремнію існує р-типу збіднений шар. Концентрацією електронів в цьому шарі можна знехтувати. Знайти товщину області просторового заряду при кімнатній температурі, якщо поверхневий потенціал Vs = 0,25 В, а об¢ємна концентрація неглибоких повністю іонізованих акцепторів становить Na = 1015 см-3.____________________________________147 ст

  61. Кварцовий резонатор. __________________________________________________________149 ст

  62. Методи управління світловими потоками в мікроелектроніці. Фізичні явища, що використовуються._____________________________________________________________151 ст

  63. Визначити питомий опір матеріалу, що використовується для створення мікроелементів інтегральних схем, котрі складаються із 106 окремих елементів на см-2. При якій концентрації носіїв заряду в матеріалі можна відтворювати елементи з точністю 0,01 за концентрацією._154 ст



Загрузить файл

Похожие страницы:

  1. Вища фізика. Конспект лекцій

    Реферат >> Физика
    ... Рівняння неперервності В неізольованих фізичних системах енергія може перепливати із одн ... англійський фізик Майкл Фарадей, а остаточно завершив Максвелл. Цю теорію в сучасному ... та пружинний маятники Коливаннями називають фізичні процеси, які точно чи ...
  2. Теорія і методика виховної роботи

    Лекция >> Педагогика
    ... цілого. Вчитель математики, фізики, хімії, біології, історії, ... напрямом педагогічної теорії та практики. Екологічне ... ів, зошитів тощо. Фізичне виховання Фізичне виховання — система заход ... , 2003. – Кн..1:Общие основы. Процесс обучения. – 576 с. Фіцула ...
  3. Історія педагогіки. Навчальний посібник

    Книга >> Педагогика
    ... контроль над їх фізичним розвитком, як і теорія з практикою навчання, яке в ... (на природничому відділі фізико-математичного факультету), потім у ... – 398 с. Макаренко А.С. Методика организации воспитательного процесса// Педагогические сочинения в 8-ми томах. – ...
  4. Культурологія. Конспект лекцій. Зміст та історія становлення. Феномен культури

    Книга >> Культура и искусство
    ... культуроборчих інтенцій вважається теорія і практика авангардних (модерністичних) ... безгрешным, раньше всякого живого процесса, без всякого исторического и ... фізичного простору–часу є результатом уявлень класичної математики й класичної (неквантової) фізики. ...
  5. Педагогіка. Фіцула. Підручник

    Книга >> Педагогика
    ... (фізика, хімія, біологія), естетичні предмети, трудове навчання, фізичну ... науковими знаннями і житейською практикою, між теорією і практикою; в) полегшує ... К., 1973. Бабанский Ю.К. Оптимизацияучебно-воспитательного процесса. - М., 1982. Бабанский Ю.К., ...

Хочу больше похожих работ...

Generated in 0.0066170692443848